26 januari 2001
Hydrogen-related modifications of amorphous silicon and silicon
nitride.
Mw.drs. A.M. Brockhoff, Natuur- en Sterrenkunde 12:45 uur
Promotores: Prof.dr. F.H.P.M. Habraken, Prof.dr. W.F. van der Weg
Amorf silicium heeft een wanordelijke structuur. Waterstof in dit
materiaal, ongeveer 10 procent, zorgt voor een zodanige
opto-elektronische kwaliteit dat het industrieel kan worden
toegepast in dunne-film zonnecellen en transistoren. De waterstof
zorgt echter ook voor instabiliteit. Het rendement van een zonnecel
vermindert als gevolg van langdurige belichting. Tegelijkertijd
verschuift de drempelspanning om een dunne-film transistor te
schakelen. Volgens Anke Brockhoff is er een nieuwe veelbelovende
groeimethode die amorf silicium lagen produceert die stabieler
zijn. Hierbij worden gassen ontleed aan een hete draad (1900°C)
waarna deeltjes neerslaan en een laag vormen. Waterstof kan tijdens
dit groeiproces diep doordringen in de reeds neergeslagen laag. Dit
in tegenstelling tot de conventionele methode waarbij slechts de
bovenste atoomlagen kunnen worden bereikt door waterstof in de
gasfase.