Universiteit van Utrecht

26 januari 2001

Hydrogen-related modifications of amorphous silicon and silicon nitride.

Mw.drs. A.M. Brockhoff, Natuur- en Sterrenkunde 12:45 uur

Promotores: Prof.dr. F.H.P.M. Habraken, Prof.dr. W.F. van der Weg

Amorf silicium heeft een wanordelijke structuur. Waterstof in dit materiaal, ongeveer 10 procent, zorgt voor een zodanige opto-elektronische kwaliteit dat het industrieel kan worden toegepast in dunne-film zonnecellen en transistoren. De waterstof zorgt echter ook voor instabiliteit. Het rendement van een zonnecel vermindert als gevolg van langdurige belichting. Tegelijkertijd verschuift de drempelspanning om een dunne-film transistor te schakelen. Volgens Anke Brockhoff is er een nieuwe veelbelovende groeimethode die amorf silicium lagen produceert die stabieler zijn. Hierbij worden gassen ontleed aan een hete draad (1900°C) waarna deeltjes neerslaan en een laag vormen. Waterstof kan tijdens dit groeiproces diep doordringen in de reeds neergeslagen laag. Dit in tegenstelling tot de conventionele methode waarbij slechts de bovenste atoomlagen kunnen worden bereikt door waterstof in de gasfase.