Technische Universiteit Delft
Alle promoties, intree- en afscheidsredes worden gehouden in de Aula van de
TU Delft, Mekelweg 5, Delft
Promotie
Contacten
12 juni 2002 | 10.30 uur
hr. Q. Ren | M.Sc. in Engineering Tsinghua U., China.
promotoren | Prof.dr.ir. J.W. Slotboom en prof.dr. L.K. Nanver (beiden fac
ITS)
Novel contacts and diodes for advanced silicon technology.
Voor toekomstige generaties van geïntegreerde circuits wordt het een steeds
grotere uitdaging om zeer ondiepe juncties en laag-ohmige contacten te
kunnen maken die aan alle eisen voldoen. Op dit moment is de meest
bestudeerde methode een combinatie van lage-energie ionenimplantatie gevolgd
door een spike-anneal. De nadelen van deze aanpak zijn: transient enhanced
diffusie, channeling en een slechte reproduceerbaarheid. Dit proefschrift
presenteert het onderzoek naar twee alternatieve procestechnieken met een
laag temperatuur budget: APCVD en excimer laser annealing. Voor beide
technieken is de toepasbaarbeid onderzocht op zeer ondiepe juncties,
laag-ohmige contacten, en Schottky diodes. Juncties met een diepte van 20 nm
werden vervaardigd en gekarakteriseerd. De resultaten uit electrische
metingen worden ondersteund door theoretische analyse en computersimulaties.
Schottky diodes met een verlaagde barrière werden vervaardigd door gebruik
te maken van gedeponeerde monolagen op het silicium oppervlak. Deze laag
passiveert het silicium opprvlak. Beide technieken werden eveneens succesvol
toegepast voor het maken van laag-ohmige contacten.
Voor verder lezen:
* Semiconductor integrated circuit processing technology by Runyan,
W.R., 1990
* Applications of silicon-germanium heterostructure devices by C.K.
Maiti and G.A. Armstrong, 2001
* Theory of Schottky barrier and metallization by I.P. Batra, 1991
Maarten van der Sanden
Wetenschapsvoorlichter
Communicatie & Marketing Groep / TU Delft
tel.: 015 2785454
fax.: 015 2781855
GSM: 06 20408176